生产条件
主要用于需要太阳光照射条件的半导体器件性能测试,如单晶硅、多晶硅、非晶薄膜、染料敏化、有机、III-V 族半导体等各种不同类型的太阳电池及其它光电器件。
光斑尺寸 :50mm×50mm(2inch×2inch);工作距离 : 120mm±30;光准直角 : <±5°;光功率输出 : 100mW/cm2±20%(1Sun、1000W/m2);线性度 : 0.01%;光谱匹配等级 : A级(0.75-1.25);空间不均性等级 : A级(优于±2%);时间稳定性等级 : A级(优于±2%);光照面辐照度 : 0.7-1.2 Sun(太阳常数);光输出方向:水平、垂直、任意角度;