生产条件
主要用于以纳米级分辨率获得表面三维形貌结构信息及表面粗糙度信息、超精密测量、化学表征以及自旋电子开发及纳米级磁性材料表征及表面势能测量。
二次电子像分辨率：0.8nm@15 kV，真空度: ≤5×10^−11 Torr 空间三维分辨率： 横向0.1 nm； 纵向 0.001 nm表面势能分辨率：毫电子伏（meV）
