深硅刻蚀机（DRIE）-中北大学微纳加工中心

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设备名称：深硅刻蚀机（DRIE）

用　　途
主要用于高深宽比硅结构的刻蚀。

技术指标
样品尺寸：4 inch，向下兼容（需贴在4inch硅衬片上）；基底刻蚀温度：0℃-20℃可调；刻蚀气体：C4F8、SF6、Ar、O2；可刻蚀材料包括：Si；刻蚀深宽比：50：1；刻蚀角度：90±1°；侧壁粗糙度：小于50nm。