生产条件
主要用于Si、SiO2、SiC、Si3N4等材料的刻蚀。
刻蚀均匀性: ≤±5％（均匀性≤φ125mm）；样品尺寸：4 inch3片或8inch1片/单次工艺，向下兼容（不需要贴片）；刻蚀气体：SF6、CHF3、CF4、Ar、O2、N2。
