生产条件
主要用于半导体器件加工过程中MoOx、VOx、LiFx等新型化合物薄膜的蒸发沉积。同时可以用于Ag、Au、Al等低熔点金属薄膜的蒸发沉积。
真空极限(空载):8.0×10-5Pa;漏率:≤0.8Pa/h;基片台尺寸:Φ100mm范围内可装卡各种规格基片;基片台加热及旋转:加热温度250℃,旋转速度:0-20 转/分钟;蒸发源及电源:2对水冷式蒸发电极;1台3kw金属蒸发电源;氩气:0-200SCCM氮气:0-200SCCM氧气:0-200SCCM(准确 度:±1.5%F.S)膜厚不均匀性:≤±5%(基片台Φ100mm 范围内);