生产条件
针对多孔、高深宽比的衬底结构可实现表面沉积高均匀性、保型性、低缺陷的Al2O3、TiO2、AlN薄膜。
沉积均匀性:小于±1%(200mm晶圆);热源温度:室温至200℃;样品尺寸:200mm及以下;基底温度:25℃~500℃可调;沉积所用源:TMA、NH3、TiCl4等;工艺气体:N2、NH3。