生产条件
主要用于Parylene C薄膜的沉积。
淀积薄膜:Parylene C;淀积速率:100nm/hr~5μm/hr可控;淀积薄膜厚度:100nm~10μm可控;淀积均匀性:片内<3%,片间<5%;样品尺寸:3片4 inch,向下兼容,非规则样品;基底淀积温度:22℃;样品基底材料:Si,Si3N4,SiO2, 玻璃,金属,陶瓷,PCB板,以及PI、PDMS等各种聚合物。