生产条件
主要用于Al2O3、ITO、TiN、MgO等薄膜沉积。
靶材尺寸:Φ60mm;靶材转速:5~20转/分;基片尺寸:≥φ2″;基片转速:5~20转/分;基片与靶台间距:30~90mm可调;极限真空度:≤6.67x10-6 Pa ;加热温度:800℃±1℃。