生产条件
主要用于≤4 inch (直径)晶圆的双面光刻和精确对准，同时也可进行晶圆键合对准。
晶圆尺寸：≤ 4inch，光刻版尺寸：5"x 5"；正面对准精度：≤±1μm；背面对准精度：≤±1.25μm，键合对准精度：≤±5μm；曝光模式:接近、硬接触和软接触分辨率：优于2μm。注意：4inch以下的样品需贴在4 inch的硅片上进行光刻。
