生产条件
用于去除基片表面刻蚀工艺过程中作为刻蚀材料保护膜的光刻胶掩膜,也可用于基片表面其它有机物的等离子体清洗。
样品尺寸:≤4 inch;气体:O2、N2、Ar;功率:50-500W连续调节;气体流量:0~5L/min。